8
臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD
產品簡介：
臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD是為制備高質量的石墨烯與碳納米管而開發的高性能臺式CVD系統。在與諾獎科研團隊的長期合作中獲得的豐富經驗使該系列產品具有非常高的性能。別是針對石墨烯、碳納米管等不同的應用進行了針對性的化。該系列產品操作簡便，生長條件控制準確，生長迅速、制備出的樣品具有高質量、高可重復性，這些點使得該系列產品受到多個石墨烯研究團隊的贊譽。該系列產品適合于想要制備高質量石墨烯或碳納米管用于前沿學術研究的團隊。例如，埃克塞大學、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業大學這些的高校均是nanoCVD系列的用戶。
nanoCVD采用全新的設計理念，可以快速、高質量地生產石墨烯或碳納米管。與傳統的簡易CVD(管式爐)相比，該系統基于冷壁設計方案，具有以下主要點:
◎ 系統可以快速的升溫和降溫。
◎ 更加準確的條件控制和可靠的工藝重現性。
◎ 安全性設計，具有尾氣稀釋模塊。
◎ 智能化設計，全自動引導式觸屏操作系統。
◎ 支持自動程序的設定與儲存。
◎ 雄厚的技術積累，業的技術支持。
設備型號：
臺式超高質量石墨烯快速制備CVD系統- nanoCVD 8G
nanoCVD-8G系統是性能穩定的快速的石墨烯生長系統。nanoCVD-8G具有壓強自動控制系統，可以準確的控制石墨烯生長過程中的氣氛條件。系統采用低熱容的樣品臺可在2分鐘內升溫至1000℃并準確控溫。該裝置采用了冷壁技術，樣品生長完畢后可以快速降溫。正是因為這些條件可以讓用戶在30分鐘內即可獲得高質量的石墨烯。用戶通過HMI觸屏進行操作，所有的硬件都是自動化的。更有內置的標準石墨烯生長示例程序供用戶參考。該系統安裝迅速，非常適合需要持續快速獲取高質量石墨烯用于高質量學術研究的團隊。埃克塞大學、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業大學等很多著名的高校都是該系統的用戶。
主要點：
◎ 合成高質量、可重復的石墨烯 ◎ 生長條件準確控制 ◎ 高達溫度：1100 °C ◎ 生長時間：<30 min ◎ 基片尺寸大：20 × 40 mm2 ◎ 全自動過程控制 ◎ MFC流量計控制過程氣體 (Ar、H2與CH4) ◎ 用戶友好型觸屏控制 ◎ 可設定、存儲多個生長程序 ◎ 可連接電腦記錄數據 ◎ 易于維護 ◎ 全面安全性設計，尾氣稀釋模塊 ◎ 兼容超凈間 ◎ 系統性能穩定
|
|
部分數據展示：
|
|
|
小型等離子增強大尺寸石墨烯制備CVD系統 - nanoCVD WPG
nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質量石墨烯生長的功能與等離子體增強技術相結合，系統可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，用該系統準確的生長控制條件可以制備多種高質量的2D材料，該系統是小型CVD系統性能上的個重大飛躍。全新的設計方案和控制系統使該系統成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。
應用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲能材料。
主要點：
生長條件： ◎ 襯底：Cu、Ni等薄膜或薄片 ◎ 工作原料：CH4，C2H4， PMMA等 ◎ 保護氣體：H2，Ar，N2等
典型配置指標： ◎ 腔體：腔壁水冷技術，熱屏蔽不銹鋼腔體 ◎ 真空系統：分子泵系統，5×10-7 mbar本底真空。 ◎ 樣品臺：大4英寸直徑，高達1100°C ◎ 操作控制：觸摸屏/電腦接口；可手動控制或自動控制 ◎ 氣體控制：MFC 流量計，Ar，CH4，H2為標配種類。 ◎ 過程控制：自動控制 ◎ 等離子源：150 W/13.56 MHz RF 電源，樣品臺附近或需要的位置產生等離子體。 ◎ 安全性：冷卻與真空鎖系統，氣體稀釋模塊。 |
|
臺式超準碳納米管快速制備CVD系統 - nanoCVD 8N
nanoCVD-8N與石墨烯生長系統nanoCVD-8G有諸多共同之處，并針對碳納米管生長條件進行了化。這些條件對于碳納米管(CNT)樣品的質量和可重復性(主要是單壁形式)是至關重要的。創新的冷壁式腔體與傳統管式設備相比更易準確控制實驗條件和快速升降溫。nanoCVD-8N具有智能的控制系統和完備的安全性設計。設備易于安裝，易于使用，是快速進入高質量研究的理想選擇。該系統獲得沃里克大學用戶的高度贊譽。
碳納米管可采用Fe、Co、Ni的納米顆粒作為催化劑生長在SiO2/Si, Si3N4以及石英等襯底上。
通過襯底與催化劑的選擇，可以生長的碳納米管有：
• 隨機: 隨機方向的相互交疊的單壁碳納米管
• 有序: 平行的單壁碳納米管
• 豎直: 豎直的單壁碳納米管束
主要點：
◎ 合成的碳納米管具有很高的可重復性； ◎ 門為單壁碳納米管進行了化； ◎ 生長條件準確控制； ◎ 高達溫度：1100 °C； ◎ MFC流量計控制過程氣體 (Ar、H2與CH4)； ◎ 基片尺寸：大20 × 40 mm2； ◎ 生長時間：<30 min； ◎ 全自動生長條件準確控制； ◎ 用戶友好型觸屏； ◎ 可設定、存儲多個生長程序 ◎ 可連接電腦記錄數據； ◎ 易于維護； ◎ 全面安全性設計，尾氣稀釋模塊； ◎ 兼容超凈間； ◎ 系統性能穩定； |
|
部分數據展示：
|
|
|
|
發表文章
Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261
本文作者研究了通常用于將CVD石墨烯放置到應用襯底上的濕轉移工藝會導致材料的微量污染。這些純度會對石墨烯的其他殊性產生不影響，并對電子和光電應用產生影響。
相關設備: nanoCVD-8G
Transparent conductive graphene textile fibers
Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866
使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被轉移到纖維上，*生產出柔韌的、*嵌入的紡織電。石墨烯的高質量意味著電有超低的表面電阻和高的機械穩定性。
相關設備: nanoCVD-8G
High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition
Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600
展示了冷壁法CVD合成石墨烯的勢，并報道了使用nanoCVD – 8G制備的高質量石墨烯材料具有超高的載流子遷移率，表現出半整數量子霍爾效應，這與剝離制備的樣品相當。
相關設備: nanoCVD-8G
Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes
Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e
用nanoCVD – 8N技術制備了單壁碳納米管，并用電化學技術對其進行了研究。高分辨率的測量可以檢查單個單壁碳納米管的性。這發現對未來使用SWNT電的器件設計具有重要意義。
相關設備: nanoCVD-8N
Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes
Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y
電化學技術，結合使用nanoCVD - 8N技術產生的單壁碳納米管，被用來證明即使在沒有摻雜、修飾或缺陷的情況下，碳納米管也表現出顯著的活性。
相關設備: nanoCVD-8N
用戶單位
埃克塞大學 |
哈德斯菲爾德大學 |
萊頓大學
|
亞琛工業大學 |
