硅光電晶體管型號結構和工作原理
基本結構
·硅光電晶體管型號和普通晶體管類似，也有電流放大作用。只是它的集電極電流不只是受基極電路的電流控制，也可以受光的控制。
· 光電晶體管的外形，有光窗、集電極引出線、發射極引出線和基極引出線（有的沒有）。
· 制作材料一般為半導體硅，管型為NPN型，
· 光電晶體管的靈敏度比光電二極管高，輸出電流也比光電二極管大，多為毫安級。
· 但它的光電特性不如光電二極管好，在較強的光照下，光電流與照度不成線性關系。
· 所以光電晶體管多用來作光電開關元件或光電邏輯元件。
· 正常運用時，集電極加正電壓。因此，集電結為反偏置，發射結為正偏置，集電結為光電結。
· 當光照到集電結上時，集電結即產生光電流Ip向基區注入，同時在集電極電路即產生了一個被放大的電流Ic（=Ie=（1+β）Ip）β為電流放大倍數。
因此，光電晶體管的電流放大作用與普通晶體管在上偏流電路中接一個光電二極管的作用是*相同的。
工作原理
這是由于硅元件較鍺元件有小得多的暗電流和較小的溫度系數。硅光電三極管是用N型硅單晶做成N—P—N結構的。管芯基區面積做得較大，發射區面積卻做得較小，入射光線主要被基區吸收。與光電二極管一樣，入射光在基區中激發出電子與空穴。在基區漂移場的作用下，電子被拉向集電區，而空穴被積聚在靠近發射區的一邊。由于空穴的積累而引起發射區勢壘的降低，其結果相當于在發射區兩端加上一個正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當于三極管共發射極電路中的電流增益)的電子注入，這就是硅光電晶體管型號的工作原理。
