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德國MURR固態(tài)時間繼電器產(chǎn)品簡述

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MURR固態(tài)時間繼電器產(chǎn)品簡述 murr固態(tài)繼電器的輸入與輸出電路的隔離和耦合方式有光電耦合和變壓器耦合兩種:光電耦合通常使用光電二極管—光電三極管,光電二極管—雙向光控可控硅,光伏電池,實現(xiàn)控制側(cè)與負載側(cè)隔離控制;murr高頻變壓器耦合是利用輸入的控制信號產(chǎn)生的自激高頻信號經(jīng)耦合到次級,經(jīng)檢波整流,邏輯電路處理形成驅(qū)動信號。
  MURR繼電器輸出電路SSR的功率開關(guān)直接接入murr電源與負載端,實現(xiàn)對負載電源的通斷切換。主要使用有大功率晶體三極管(開關(guān)管-Transistor),單向可控硅(Thyristor或SCR),雙向可控硅(Triac),功率場效應管(MOSFET),絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)。固態(tài)繼電器的輸出電路也可分為直流輸出電路,交流輸出電路和交直流輸出電路等形式。按負載類型,可分為直流固態(tài)繼電器和交流固態(tài)繼電器。直流輸出時可使用雙極性器件或功率場效應管,交流輸出時通常使用兩個可控硅或一個雙向可控硅。而交流murr固態(tài)繼電器又可分為單相交流固態(tài)繼電器
因此固態(tài)繼電器除具有與murr電磁繼電器一樣的功能外,還具有邏輯電路兼容,MURR安全繼電器耐振耐機械沖擊,安裝位置無限制,具有良好的防潮防霉防腐蝕性能,在防爆和防止臭氧污染方面的性能也,輸入功率小,靈敏度高,控制功率小,murr電磁兼容性好,噪聲低和工作頻率高等特點。固態(tài)繼電器的固態(tài)繼電器可以具有短路保護,過載保護和過熱保護功能,與組合邏輯固化封裝就可以實現(xiàn)用戶需要的智能模塊,直接用于控制系統(tǒng)中。固態(tài)繼電器目前已廣泛應用于計算機外圍接口設備、恒溫系統(tǒng)、調(diào)溫、電爐加溫控制、MURR電機控制、數(shù)控機械,遙控系統(tǒng)、工業(yè)自動化裝置;信號燈、調(diào)光、閃爍器、照明舞臺燈光控制系統(tǒng);儀器儀表、醫(yī)療器械、復印機、自動洗衣機;自動消防,保安系統(tǒng),以及作為電網(wǎng)功率因素補償?shù)碾娏﹄娙莸那袚Q開關(guān)等等,MURR固態(tài)時間繼電器產(chǎn)品簡述

MIRO 時間繼電器

固態(tài)繼電器

mr 6.2mm

固態(tài)時間繼電器

晶體管輸出

脈沖延時,增強型

mr 6.2mm

固態(tài)時間繼電器

可控硅輸出

延時開功能

 

 電路圖

 

MURR固態(tài)時間繼電器產(chǎn)品簡述 在施加輸入信號IN時,只有當負載電源電壓達到過零區(qū)時,SSR才能導通,并有可能造成電源半個周期的zui大延時。Z型SSR關(guān)斷條件同P型,但由于負載工作電流近似正弦波,高次諧波干擾小,所以應用廣泛。北京靈通電子公司的SSR由于采用輸出器件不同,有普通型(S,采用雙向可控硅元件)和增強型(HS,采用單向可控硅元件)之分。當加有感性負載時,在輸入信號截止t1之前,雙向可控硅導通,電流滯后電源電壓90O(純感時)。t1時刻,輸入控制信號撤銷,雙向可控硅在小于維持電流時關(guān)斷(t2),可控硅將承受電壓上升率dv/dt很高的反向電壓。這個電壓將通過雙向可控硅內(nèi)部的結(jié)電容,正反饋到柵極。如果超過雙向可控硅換向dv/dt指標(典型值10V/ s,將引起換向恢復時間長甚至失敗。單向可控硅(增強型SSR)由于處在單極性工作狀態(tài),此時只受靜態(tài)電壓上升率所限制(典型值200V/ s),因此 增強型固態(tài)繼電器HS系列比普通型SSR的換向dv/dt指標提高了5~20倍。由于采用兩只大功率單向可控硅反并聯(lián),改變了電流分配和導熱條件,提高了SSR輸出功率。增強型SSR在大功率應用場合,無論是感性負載還是阻性負載,耐電壓、耐電流沖擊及產(chǎn)品的可靠性,均超過普通固態(tài)繼電器。
  如何使用戶的驅(qū)動電路與SSR的輸入特性相匹配
  一般來講,SSR的輸入控制電壓為3.2—32V。控制電流為5—30mA. 通常1—2的SSR輸入回路不是恒流源電路,輸入控制電壓為4—16V。控制電流為5—20mA.較大額定電流的SSR輸入電路均接有恒流源電路。輸入控制電壓在3.2—32V均可。在三相電路里,如果用戶將三個SSR的輸入端串聯(lián)的話,那么希望提供大于12V的控制電壓;如果將三個SSR的輸入端并聯(lián)使用的話,那么驅(qū)動電流要保證50mA。單個SSR使用,驅(qū)動電流不要設計在4—5mA 的臨界狀態(tài)下至少要大于6mA。

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