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紅外光譜橢偏儀IRSE是專業(yè)為半導(dǎo)體材料薄膜測(cè)量設(shè)計(jì)的紅外橢偏儀,紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE),表征材料特性，包括結(jié)構(gòu)參數(shù)，如層厚度、界面特性、表面粗糙度和污染物的存在。
紅外光譜橢偏儀紅外光譜橢圓偏振儀測(cè)量紅外范圍內(nèi)光的偏振態(tài)變化，IRSE可以提取關(guān)鍵的光學(xué)信息，如所研究材料的折射率、消光系數(shù)和光學(xué)常數(shù)。
此外，紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE）還可以提供對(duì)材料電性能的見(jiàn)解。通過(guò)分析在紅外范圍內(nèi)獲得的橢圓偏振數(shù)據(jù)，可以提取有關(guān)材料電導(dǎo)率或電阻率的信息，這對(duì)于研究導(dǎo)電薄膜、摻雜半導(dǎo)體或金屬層特別有用。
紅外光譜橢偏儀有可能收集有關(guān)被分析材料的化學(xué)信息。通過(guò)檢查紅外光譜中的吸收帶，可以識(shí)別樣品中存在的特征振動(dòng)模式和化學(xué)鍵，有助于材料識(shí)別、成分分析和化學(xué)表征。
紅外光譜橢偏儀將光譜橢圓偏振計(jì)的功能擴(kuò)展到紅外波長(zhǎng)范圍，從而可以對(duì)材料進(jìn)行全面表征。它能夠確定結(jié)構(gòu)參數(shù)、光學(xué)性質(zhì)、電導(dǎo)率，甚至化學(xué)信息。通過(guò)利用材料在紅外范圍內(nèi)的du特行為，紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE）為廣泛的應(yīng)用提供了有價(jià)值的見(jiàn)解，包括材料科學(xué)、薄膜研究、半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和化學(xué)分析。
紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE）的測(cè)量原理涉及以各種入射角將紅外光引導(dǎo)到樣品表面并分析反射光。測(cè)量了橢圓偏振參數(shù)，如反射光的p偏振和s偏振分量之間的振幅比（Ψ）和相位差（Δ）。
然后將紅外光譜橢圓偏振儀（IRSE）獲得的數(shù)據(jù)與包含樣品光學(xué)特性和層厚度的模型進(jìn)行比較。通過(guò)擬合過(guò)程，調(diào)整模型參數(shù)，直到計(jì)算出的橢圓參數(shù)與實(shí)驗(yàn)值相匹配。這允許確定樣品的光學(xué)常數(shù)和層特性。
材料在紅外波度較為特殊,比如非摻雜半導(dǎo)體在紅外區(qū)域通常是透明的，可以在吸收效應(yīng)干擾***小的情況下分析其光學(xué)特性。另一方面，電介質(zhì)在紅外范圍內(nèi)具有特征吸收帶，這可以提供有關(guān)其組成和分子結(jié)構(gòu)的有價(jià)值的信息。金屬和摻雜半導(dǎo)體表現(xiàn)出所謂的德魯?shù)挛瘴玻@是由這些材料中的自由電子響應(yīng)引起的。
紅外光譜橢偏儀產(chǎn)品特色
易于使用基于Windows的軟件；面向高級(jí)用戶的科學(xué)模式和面向日常操作的操作員模式
可變?nèi)肷浣牵╒ASE，可變?nèi)肷浣枪庾V橢圓偏振儀）
用戶可定義分辨率
基于FTIR技術(shù)的快速測(cè)量
綜合光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)和模型配方
**的TFProbe軟件允許用戶使用NK表、分散體或EMA混合物/復(fù)合材料定義層，并具有指數(shù)分級(jí)和表面/界面粗糙度。。。
可升級(jí)和可重新配置，有各種選項(xiàng)和配件
具有連續(xù)動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)的邁克爾遜干涉儀，具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性
長(zhǎng)壽命紅外光源
紅外光譜橢偏儀典型應(yīng)用
薄膜表征：確定半導(dǎo)體行業(yè),光學(xué)和表面涂層等各個(gè)領(lǐng)域薄膜的厚度、折射率和成分。
化學(xué)分析：測(cè)量有機(jī)材料、聚合物和生物分子的分子結(jié)構(gòu)和組成的信息。
表面和界面研究：理解表面和界面的性質(zhì)，包括它們的粗糙度、吸附和厚度。
材料研發(fā)：研究新材料及其光學(xué)性能，從而*化材料合成和加工方法。
散裝材料：玻璃、PET、摻雜硅
硅外延層：
摻雜剖面
薄外延層（<1um）
低對(duì)比度N-/N外延層
半導(dǎo)體外延層（GaAs、Insb、SiC、SiGe、CdHgTe等）
介電薄膜特性
FPD應(yīng)用的硅層
a-Si:H工藝質(zhì)量監(jiān)測(cè)（CVD、ELA工藝）
SiN層中Si-H和N:H的相對(duì)含量
ITO薄膜：光學(xué)和電學(xué)特性
BPSG、PSG：硼和磷濃度
低k材料：
有機(jī)低k材料。
確定厚度和光學(xué)常數(shù)
計(jì)算碳含量（%C）。
測(cè)定退火前后的含水量
SiOC:H：碳含量和孔隙率。
多孔SiO2：厚度、孔隙率、含水量。
溝槽、高架橋、凹槽和淺溝槽隔離（STI）
SOI光波導(dǎo)：厚度測(cè)量。
紅外光譜橢偏儀性能參數(shù)
光譜范圍：350-7400 cm-1
光譜分辨率：0.5-32 cm-1
波長(zhǎng)精度：*于0.01 cm-1
掃描速度：0.158–6.28厘米/秒
光斑尺寸：1-5mm
入射角：20°至90°，步進(jìn)5°
測(cè)量時(shí)間：5秒/站點(diǎn)到幾分鐘，用戶可定義
測(cè)量精度：*于1?（熱SiO2/Si材料）