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化工儀器網>產品展廳>光學儀器及設備>電子顯微鏡>掃描電鏡(SEM)> MIRA Brochure掃描電鏡

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MIRA Brochure掃描電鏡

參考價 900000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準

聯系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!


北京伊微視科技有限公司是一家專注于提供顯微、膜厚測量以及光電測試設備的企業。

我們致力于為客戶提供全面的顯微設備,涵蓋從毫米到納米級別的多個領域。我們的產品線包括樣品制備設備、體式顯微鏡、數碼顯微鏡、金相顯微鏡、平面度測試儀、3D表面輪廓儀、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡以及透明晶圓缺陷掃描儀。

此外,我們還提供專業的薄膜測量設備,包括透明/半透明薄膜的反射光譜測量儀、用于納米級別測量的橢偏儀,以及針對不透光金屬鍍膜的X熒光光譜測量儀。

在光電測量設備領域,我們正在不斷拓展我們的產品線,已代理的產品包括Sinton的少子壽命測試和Fluxim測量軟件。

尺有所短寸有所長,每一個品牌,每一臺設備亦如此。在客戶的需求上,提供解決方案,是我們服務的宗旨。我們不僅僅是設備的銷售商,更是為客戶提供解決方案的合作伙伴。



金相顯微鏡,平面度測試儀,3D表面輪廓儀,掃描電子顯微鏡,原子力顯微鏡以及透明晶圓缺陷掃描儀。

產地類別 進口 價格區間 50萬-100萬
應用領域 綜合

MIRA Brochure掃描電鏡是一款超高分辨分析型場發射掃描電鏡,配置高亮度肖特基電子槍。鏡筒中增加了特殊的透鏡- TESCAN 中間鏡-能夠優化束斑并獲得更大的束流,還提供了景深(DEPTH)模式和大視野(Wide-Field”)觀察模式,大視野光路(Wide-Field Optics™)技術可以隨時為用戶提供樣品的清晰全景圖,幫助客戶快速、精確的導航到樣品上正確的感興趣區域;景深模式拓展了可聚焦的深度,因此那些需要聚焦深度極大的樣品可以在該模式下成像。

主要特性:

MIRA Brochure掃描電鏡是推出的第四代高性能掃描電子顯微鏡中的一員,配置有高亮度肖特基場發射電子槍。在TESCAN Essence"電鏡操作軟件中實現了同一個窗口完成電鏡成像和元素分析,這大大簡化了從樣品中獲取形貌和元素數據的過程。MIRA 為質量控制、失效分析和實驗室常規材料檢測提供了有效的分析解決方案。

1、集成的能譜分析(EssenceT EDS)-在 SEM 實時掃描窗口中完成掃描電鏡成像和元素成分分析

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2、TESCAN 無光闌光路設計可快速獲得成像和分析條件

3、放大倍數可至2倍,輕松且精確地對樣品進行導航。

4、直觀且模塊化 Essence™ 軟件,任何經驗水平的用戶,均可輕松操作。

5、Essence™ 3D 防碰撞模型,當樣品臺和樣品移動時,可保證安裝在樣品室內附件的安全。

6、標配 singleVac 模式,可直接觀察不導電樣品或電子東敏感樣品。

7、可選配的鏡筒內 SE 和 BSE 探測器,結合電子束減速技術極大的提升了低電壓下的成像性能。

應用:

適用于金屬樣品的亞微米級高分辨檢測

在質量控制實驗室中,掃描電鏡通常是金屬樣品進行質量分析和常規檢測的重要手段。TESCAN MIRA配置了高亮度的場發射電子槍,在低加速電壓下,也能夠對其表面進行高分辨的表征。因此,MIRA 非常適用于各類金屬加工行業的質量控制實驗室。

MIRA 配置的高亮度場發射電子槍,可以提供高信噪比圖像,用戶在觀察亞微米級樣品時就會深切體驗到這一點。有很多樣品如增材制造、硬涂層、金屬復合材料、微夾雜物等觀察時都需要獲得高襯度形貌像,只有降低加速電壓時才能實現。TESCAN MIRA場發射電鏡使用的技術,在低加速電壓下也可以獲得高信噪比的圖像,并且可以使用樣品室內二次電子探測器和鏡筒內二次電子探測器獲得樣品的形貌像,使用樣品室背散射電子探測器和低能量高靈敏的鏡筒內背散射電子探測器獲得樣品的成分像。如果一張高分辨的形貌和成分襯度圖像對于您的應用過程評估和決策至關重要,那么鏡筒內探測器會是您的SX.此外,TESCAN MIRA不再局限于只能成像,還可以通過集成的能譜分析功能(Essence™EDS),用戶不再需要第三方硬件和軟件,只需通過熟悉的電鏡操作界面,完成材料的元素分析,輕松實現復合金屬、樣品均勻性表征甚至是材料失效分析

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TESCAN MIRA場發射掃描電鏡可以快速、穩定且直觀地提供準確的數據,這些正是適合在金屬加工行業質量控制、故障分析和研究實驗室中使用的分析儀器的重要特征。

對亞微米級顆粒、團聚物和其它材料進行高分辨率成像

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TESCAN MIRA 是一款多功能的設備,可以對各種材料進行表征。表征粉末樣品、微小的污染物、納米顆粒和其它微納米材料的尺寸和形貌觀測時,需要通過降低加速電壓來實現,因為降低加速電壓后能夠減少電子在樣品表面轟擊的體積。TESCAN MIRA 配備了高亮度場發射電子槍,在低于5keV下,安裝在樣品室中的二次電子探測器也可以獲得清晰的形貌像。由于使用了實時電子束追蹤技術和中間鏡技術,無需對鏡筒內的機械光闌做任何調整,電子束就可以快速自動優化,實時電子束追蹤技術還可以確保相對于束流獲得化的束斑尺寸。此外,TESCAN MIRA 提供可選的鏡筒內二次電子探測器(In-Beam SE),這個探測器適用于更短的工作距離可以在極低著陸能量的情況下獲得高分辨圖像,更有效地表征納米粉末和納米顆粒的亞微米細節和一些其它特征。此外,電子束減速技術(BDT)進一步提升了低加速電壓下的分辨率,可以獲得更多的表面形貌細節。

 




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