熱電薄膜塞貝克參數(shù)測(cè)試儀

薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)MRS-3專門針對(duì)薄膜材料的變溫seebeck系數(shù)和電阻率的測(cè)量?jī)x器，采用動(dòng)態(tài)法和四線法保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確和穩(wěn)定，擁有寬廣的測(cè)試范圍和便捷的操作界面。

● 專門針對(duì)薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測(cè)量。

應(yīng)用

● Seebeck效應(yīng)

● Peltier效應(yīng)

熱電薄膜塞貝克參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品原理 

1、測(cè) Seebeck 系數(shù)原理：動(dòng)態(tài)法測(cè) Seebeck 系數(shù) 

     測(cè)試過(guò)程中給試樣兩端施加一微小的連續(xù)變化的溫差，（ ?T1、?T2 ---?Tn ）然后 再采集與之相對(duì)應(yīng)的溫差電勢(shì)（ ?V1、 ?V2 --- ?Vn ），在得到這些數(shù)據(jù)后，根據(jù)最小二乘 法、最小殘差法或 BiSquare 法得到測(cè)量樣品的斜率 K，即澤貝克系數(shù)。其斜率即為 Seebeck 系數(shù) S=k(斜率)= dV/d?T 。 

優(yōu)勢(shì)： 通過(guò)斜率得到 Seebeck 系數(shù)，避免了傳統(tǒng)靜態(tài)法因測(cè)溫和電壓測(cè)量不準(zhǔn)， 而帶來(lái)的系統(tǒng)誤差，測(cè)試精度更高，誤差小。 

2、測(cè)量電阻率：采用四線法 

     電阻率：p=V*A/I*L、V、I 分別為檢測(cè)電路中的電流和檢測(cè)端電壓，A、L 分別為塊體材料的通電截面積 （Width*Height）和電位檢測(cè)間距(Span)，薄膜樣品與塊體樣品測(cè)量思路是相同。 

優(yōu)勢(shì)： 1、消除接觸電阻的影響； 2、消除熱電勢(shì)的影響，進(jìn)一步提高電阻率的測(cè)試結(jié)果。

基本參數(shù)：

溫度范圍   100K~700K 

溫控方式   PID 程序控制 

真空度 ≤10Pa（機(jī)械泵）；≤1Pa（分子泵） 

測(cè)試氣氛   真空 

測(cè)量范圍   澤貝克系數(shù)：|S|≥ 8μV/K；電阻率：0.1μΩ·m~10 6μΩ·m 

分辨率      澤貝克系數(shù)：0.05μV/K;電阻率：0.05μΩ·m 

相對(duì)誤差   澤貝克系數(shù) ≤±7%；電阻率 ≤±10% 

測(cè)量模式   自動(dòng) 

樣品尺寸  長(zhǎng)*寬:（10~18）*（2~7）mm，厚度 50nm~2mm