測量功能 | 直流電流 | 產地類別 | 進口 |
---|---|---|---|
二極管測試 | 是 | 款式 | 臺式萬用表 |
類型 | 數字萬用表 | 數據保持 | 是 |
通斷蜂鳴測試 | 是 | 應用領域 | 電子,交通,航天,汽車,綜合 |
自動關機 | 否 | 自動量程 | 是 |
從輩份講,2002是小字輩的,因為生產年代比較晚,大約是2000年。當然,晚出有,因為可以參照別人的成熟技術,采用新的結構設計和元件。
外觀上看,與自己的2000六位半、2001七位半同樣大小,半寬,這在8位半里。別的八位半都是標準寬度。
指標上看,基本檔24小時1.2ppm,明顯不如主流8位半的0.5ppm,當然1年指標10ppm也不算很差。電阻基本檔1年9ppm,很不錯了,甚至比電壓檔的指標還好,這很少見。尤其是2年指標11ppm,更是少有。
溫度系數做的還不錯,2V檔0.2ppm/C,20V檔0.3ppm/C,2k/20k檔0.8ppm/C。
直流電流的指標350ppm/a很差,不比2001的400ppm好,34401的還是500ppm/a呢。
交流基本檔200ppm/a,二流水平。
轉移特性指標做的還不錯,20V是0.15ppm、10V是0.2ppm。這個指標比3458A還差了一倍,但比8508A要好。但是,2002的線性指標0.2ppm不高,因此看來轉移特性指標還是有水分。
噪音特性,NPLC=10下基本檔為0.6uVrms,還不錯,與3458A的0.3uVrms只差一倍。
從測試速度看,這是三款達到每秒6次的高速8位半之一。另外兩款中,3458實際測試速度要比指標高很多(10倍),而R6581與指標相等。2002到底,待測試后就見分曉。
外觀上看,盡管半寬的面板小,但安排的很緊湊,尤其是顯示內容豐富,雙排VFD點陣,外加一排狀態行,與Advantest R6581類似。
多臺收購吉時利2002八位半數字萬用表
吉時利KEITHLEY2000,2001,2002,2010萬用表應用領域:
離散和無源元件
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅動器頭、金屬氧化物可變電阻(MOV)、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結型晶體管(BJT)、場效應晶體管(FET)等等
簡單IC器件——光學器件、驅動器、開關、傳感器
集成器件——小規模集成(SSI)和大規模集成(LSI)
–模擬IC
–射頻集成電路(RFIC)
–集成電路(ASIC)
–片上系統(SoC)器件
光電器件,例如發光二極管(LED)、激光二極管、高亮度LED(HBLED)、垂直腔面發射激光器(VCSEL)、顯示器
圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
太陽能電池
電池
暫態抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
電路保護器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關、繼電器
碳納米管
半導體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機電子
基本運放電路
二極管和電路
晶體管電路
測試:
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數測試
直流電源
HIPOT
介質耐受性
雙極結型晶體管設計
結型場效應晶體管設計
金屬氧化物半導體場效應晶體管設計
太陽能電池和 LED 設計
高電子遷移率晶體管設計
復合半導體器件設計
分析納米材料和實驗器件
碳納米管的電測量標準
測量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
在低功率和低壓應用中實現準確、可靠的電阻測量
納米級器件和材料的電氣測量
提高超高電阻和電阻率測量的可重復性
一種微分電導的改進測量方法
納米技術準確電氣測量的技術
納米級材料的電氣測量
降低外部誤差源影響的儀器技術
迎接65nm節點的測量挑戰
測量半導體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極電介質電容電壓特性分析
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評估氧化層的可靠性
的半導體器件結構設計和試驗低電阻、低功耗半導體器
輸出極低電流和測量極低電壓分析現代材料、半導體和納米電子元件的電阻
低阻測量(低至10nΩ)分析導通電阻參數、互連和低功率半導體。
用于*CMOS技術的脈沖可靠性測試
高K柵極電介質電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測量技術進行更高準確度的電阻測量
配置分立電阻器驗證測試系統
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產測試
多臺數字源表的觸發器同步
高亮度、可見光LED的生產測試
OLED顯示器的直流生產測試
在運行中第5次測量用于偏置溫度不穩定特性分析
數字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數據
連接器的生產測試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析
1. MOS 電容器
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