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化工儀器網>產品展廳>行業專用儀器及設備>其它行業專用儀器>其它專用儀器> EVG610-單面、雙面光刻系統

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EVG610-單面、雙面光刻系統

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岱美儀器技術服務(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面簡稱岱美)成立于1989年,是一間擁有多年經驗的高科技設備分銷商,主要為數據存儲、半導體、光通訊、高校及研發中心提供各類測量設備、工序設備以及相應的技術支持,并與一些重要的客戶建立了長期合作的關系。自1989年創立至今,岱美的產品以及各類服務、解決方案廣泛地運用于中國香港,中國大陸(上海、東莞、北京),中國臺灣,泰國,菲律賓,馬來西亞,越南及新加坡等地區。


岱美在中國大陸地區主要銷售或提供技術支持的產品:

晶圓鍵合機、納米壓印設備、紫外光刻機、涂膠顯影機、硅片清洗機、超薄晶圓處理設備、光學三維輪廓儀、硅穿孔TSV量測、非接觸式光學三坐標測量儀、薄膜厚度檢測儀、主動及被動式防震臺系統、應力檢測儀、電容式位移傳感器、定心儀等。


岱美重要合作伙伴包括有:

Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,

n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...


如有需要,請聯系我們,了解我們如何開始與您之間的合作,實現您的企業或者組織機構長期發展的目標。




膜厚儀,輪廓儀,EVG鍵合機,EVG光刻機,HERZ隔震臺,Microsense電容式位移傳感器

產地類別 國產 應用領域 化工
  EVG610-單面、雙面光刻系統是一款緊湊型多功能研發系統,可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
  一、簡介
  EVG光刻機EVG610支持各種標準光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對準方式。此外,該系統還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶,非常適合大學和研發應用。
  EVG610-單面、雙面光刻系統
  二、EVG光刻機應用
  MEMS,RF器件,功率器件,化合物半導體等方面的圖形光刻應用。
  三、EVG光刻機特征
  晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
  頂部和底部對準功能
  高精度對準
  自動楔形補償序列
  電動的和程序控制的曝光間隙
  支持新的UV-LED技術
  小化系統占地面積和設施要求
  分步流程指引
  遠程技術支持
  多用戶概念(無限數量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同語言)
  敏捷的處理和轉換重新加工
  臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面
  附加功能:
  鍵合對準
  紅外對準
  納米壓印光刻(NIL)
  四、技術參數
  1.掩模版-基板-晶圓尺寸
  掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
  基片/晶圓尺寸:100mm/150mm/200mm
  晶圓厚度:高達10mm
  2.對準模式
  頂部對準精度:≤ ± 0,5 µm
  底部對準精度:≤ ± 2,0 µm
  紅外對準模式:≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
  3.頂部顯微鏡
  移動范圍1:100mm(X軸:32-100mm;Y軸:-50/+30mm;)
  移動范圍2:150mm(X軸:32-150mm;Y軸:-75/+30mm;)
  移動范圍1:200mm(X軸:32-200mm;Y軸:-100/+30mm;)
  可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
  4.底部顯微鏡
  移動范圍1:100mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  移動范圍2:150mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  移動范圍1:200mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
  5.曝光器件
  (1)波長范圍:
  NUV:350 - 450 nm
  DUV:低至200 nm (可選)
  (2)光源:
  汞燈350W , 500W UV LED燈
  (3)均勻性:
  150mm:≤ 3%
  200mm:≤ 4%
  (4)濾光片:
  汞燈:機械式
  UV LED:軟件可調
  6.曝光模式
  接觸:硬、軟接觸,真空
  曝光間隙:1 - 1000 µm
  線寬精度:1µm
  模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
  可選:內部,浸入,扇形
  7.可選功能
  鍵合對準精度:≤ ± 2,0 µm
  納米壓抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
  納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率:≤ 50 nm圖形分辨率
  8.設施
  真空:< 150 mbar
  壓縮氣體:6 bar
  氮氣:可選2或者6 bar
  排氣要求:汞燈需要;LED不需要
  9.系統方式
  系統:windows
  文件分享和軟件備份
  無限程序儲存,參數儲存在程序內
  支持多語言,含中文
  實時遠程支持,診斷和排除故障
  10.楔形補償
  全自動- 軟件控制
  11.規格
  占地面積:0.55m2
  高度:1.01m
  重量:約250kg
  納米壓印分辨率:≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
  支持工藝:Soft UV-NIL




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